SK海力士第六代10纳米DDR5 DRAM震撼发布：速度较前代跃升11%，再创行业新高

8月29日消息，依据您分享的科技前沿资讯，我为您重新整理了SK海力士的这项重大技术突破：今日，SK海力士宣布了一项开创性成就，成功研发出全球首款运用第六代10纳米级（1c）尖端工艺的16Gb DDR5 DRAM芯片。

SK 海力士强调：“随着 10 纳米级 DRAM 技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成 1c DDR5 DRAM 的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”

SK 海力士以 1b DRAM 平台扩展的方式开发了 1c 工艺。SK 海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内以最高性能 DRAM 受到认可的 SK 海力士 1b 工艺优势转移到 1c 工艺。

而且，SK 海力士在部分 EUV 工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对 EUV 适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在 1c 工艺上也进行了设计技术革新，与前一代 1b 工艺相比，其生产率提高了 30% 以上。

此次 1c DDR5 DRAM 将主要用于高性能数据中心，其运行速度为 8Gbps（每秒 8 千兆比特），与前一代相比速度提高了 11%。另外，能效也提高了 9% 以上。随着 AI 时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将 SK 海力士 1c DRAM 采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少 30%。

SK海力士全力推进先进HBM内存生产，利川M10F工厂转型专攻HBM3E制造

近日消息，SK海力士宣布了针对HBM内存业务的战略转型，未来企业将聚焦于高品质路线，全力投入到先进HBM内存的研发与批量生产中，与此同时，标志着标准HBM产品线将逐步退出市场舞台。

在三星电子计划把 HBM 内存的组装检测工艺外包给控股子公司 STeco 的同时，SK 海力士仍计划自行内部解决 HBM 生产的全部工序，在进一步提升 HBM 内存产能上较为保守。

不过 SK 海力士仍计划将位于利川的 M10F 小型工厂（目前生产 DRAM 产品）转移到 HBM 生产上来，以提升 HBM3E 供应能力。

韩媒表示 SK 海力士利川 M10F 工厂的基础设施改造已经启动，目标到 2025 年四季度实现 HBM3E 内存量产。一位来自合作方的匿名员工表示，该企业已收到 SK 海力士的采购订单，正式采购将于今年 4 季度开始，2025 年一季度进行设备安装。

SK 海力士目前的 HBM 内存产能为每月 14 万片晶圆，业界人士预计 M10F 完全投入运营后可提供每月 1 万片晶圆的产能，相当于将产量提升 7%。

SK海力士M16晶圆厂扩产在即，DRAM内存产能预计跃升18%

8月14日消息，SK海力士已作出战略举措，向其上游设备供应商下达了关键生产设备的订单，旨在增强M16晶圆厂的生产能力，特别是针对高带宽内存（HBM）及通用DRAM内存。这一举动预期将扩大其在内存市场的供应能力，满足不断增长的高性能计算和数据中心领域的需求。

注：SK 海力士 M16 晶圆厂位于韩国京畿道利川市，目前拥有每月约 10 万片 12 英寸晶圆的 DRAM 产能。

两家韩媒对具体扩产幅度的报道略有差异：《首尔经济日报》认为是至少每月 7 万片晶圆，也提到了每月 8 万片；有媒体则认为是每月 8 万~10 万片晶圆。

分析机构 Omdia 此前预估，SK 海力士 DRAM 内存产能将于本季度达到每月 44 万片晶圆，以每月 8 万片的扩产幅度计算，相当整体产能的 18.2%。

不同于在平泽工厂拥有大量空置面积的三星，SK 海力士在 2025 年 11 月清州 M15X 晶圆厂竣工量产前提升 DRAM 产能的唯二手段是充分利用利川 M16、M14 两厂的剩余空间与升级制程。

SK 海力士目标最早在本月完成下代 1c nm DRAM 内存的实验室测试，2025 年二季度启动 1c nm DRAM 试产，明年底在清州 M16 工厂启动相应设备安装。